Investigadores de la Universitat Jaume I participan en el desarrollo de la primera unión túnel antiferromagnética totalmente operada de manera eléctrica y compatible con los métodos de producción y componentes electrónicos actuales. El investigador Víctor López Domínguez del Instituto de Materiales Avanzados participó en el diseño y desarrollo de un dispositivo basado en el material antiferromagnético PtMn3 cuyo estado magnético es modificado mediante la aplicación de pulso eléctricos de duración de 1 ms y detectado de manera eléctrica mediante un cambio del 100% de la resistencia eléctrica del dispositivo, comparable con las actuales uniones túnel basadas en materiales ferromagnéticos en el mercado.
El estudio publicado en la revista Advanced Materials (Adv. Mater. 2024, 2312008) liderado por el profesor Pedram Khalili de la Northwestern University, y con participación de grupos de la Universitat Jaume I, Universidad de Messina, de California Los Angeles y del Argonne National Lab, utilizo sustratos de Silicio tipicamente utilizados en la industria de semiconductores y depositando mediante métodos de evaporación física (Sputtering) los materiales que conformaban la unión túnel. Este hito avanza hacía el desarrollo de nuevos dispositivos de memoria RAM con más alta densidad, escalabilidad y velocidad que las actuales memorias basadas en materiales ferromagnéticos, además de abrir la posibilidad de integrar nuevos conceptos de dispositivos para paradigmas de computación como la computación neuromorfica.
